首個 Geekbench 跑分曝光：Samsung Galaxy S26 Edge 確認搭載高通驍龍8 Elite2；處理器規格搶先看！

續上周相機與充電速度訊息外泄后，今天網絡上終於流出 Samsung Galaxy S26 Edge 的處理器型號與性能跑分成績。到底新一代旗艦處理器對比今代提升是否有感？大家趕快來瞭解更多吧 ~

根據最新曝光的 Geekbench 截圖，我們率先得知 Galaxy S26 Edge 搭載了新一代高通驍龍8 Elite2 For Galaxy 處理器搭配 12GB RAM；其單核成績為 3,393 分，多核心達到 11,515 分，單核與多核跑分成績對比 Galaxy S25 Edge 分別提升了 8% 以及 22%。

值得一提的是，目前曝光的跑分因大核被限制在 4.05GHz 而拉低跑分，加上軟件未完全優化以及超薄設計不利散熱等因素，我們相信日後的跑分成績將更出色！

根據曝光訊息顯示，高通驍龍8 Elite2 For Galaxy 採用八核心架構，其中兩顆 Prime 超大核心的時脈高達 4.74GHz，其餘六顆 Performance 核心則為 3.63GHz，兩者的頻率都高於前代 Snapdragon 8 Elite 的 4.32GHz 與 3.53GHz。

先前已有報告指出，Qualcomm 正在測試 Elite 2 常規版本的最高時脈為 4.6GHz，而 Galaxy 專屬版本則會進一步提升到 4.74GHz，這次的曝光與傳聞相符，看來三星新旗艦依舊會獨占超頻版高通旗艦處理器。

綜合目前曝光訊息，我們得知 Galaxy S26 Edge 明年將全面取代 Plus 款式，其機身厚度再削薄至 5.5mm，對比今年推出 Galaxy S25 Edge 的 5.8mm 薄了 0.3mm；這部主打超薄設計的新旗艦將繼續配置 6.7寸 2K 分辨率大熒幕，手機正面將采用超窄邊框設計。

拍攝方面，如無意外 Galaxy S26 Edge 將搭載【兩億(主) + 5000萬(超廣角) 】像素雙攝鏡頭，當中主攝將沿用 ISOCELL HP2 感光元件；超廣角鏡頭則從前代 1200萬像素升級至 5000萬像素，相信采用與 Ultra 同一款 ISOCELL JN3 感光元件；至於大家期待的變焦鏡頭應該不會有，畢竟機身空間真的有限。

續航力方面，目前得知 Galaxy S26 Edge 將配置 4,200mAh 電量，這對比前代的 3,900mAh 電量增大了接近 8%；如無意外其閃充速度也將提升至 45W。